第三代半導體材料“氮化鎵”外延片在興區試生產
“這是剛剛生產的2寸和4寸氮化鎵外延片樣品，我們可提供業界高標準的氮化鎵外延片，現在正在試生產和產品認證中，正式投產后，可實現月生產2500片的產能。”近日，在遼寧百思特達半導體科技有限公司產品展示大廳，生產中心副總廖家明向大家介紹。
氮化鎵屬于第三代半導體材料，對比硅材料優勢很明顯，由氮化鎵制成的器件，功率是硅的900倍，禁帶寬帶比硅高出3倍左右，擊穿場強也高于硅11倍。此外，氮化鎵還有體積小、散熱快、傳輸速率高等優點。百思特達是2019年興隆臺區和盤錦高新區共同引進的高新技術產業項目。該公司主要研發生產氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產品，已進入試生產階段。
換上鞋套，沿走廊前行數十米便來到了MOCVD外延爐車間，在這里通過有機金屬化學氣相沉積法，使制程氣體氨氣和有機金屬源——三甲基鎵產生化學反應，生成氮化鎵晶體，并將晶體堆疊到藍寶石底片上，制成氮化鎵外延片。廖家明說，氮化鎵外延片經過加工，可制成大小不同的芯片，芯片封裝后，就能作為產品元器件廣泛應用。目前，風力發電、光電、電動汽車等領域，這種氮化鎵芯片使用率很高，產品供不應求，特別是5G基站建設，更需求大量這種高頻傳輸的芯片。
綜合管理部部長李婷表示，百思特達已經建成并投產使用外延車間，芯片車間和封裝車間正在建設當中。公司占地面積125畝，有足夠的空間引進上下游企業，形成完整的產業鏈。待公司正式投產運營后，將進一步對接引進相關企業，形成上下游互通的產業布局。“未來，遼寧百思特達半導體科技有限公司將成為中國東北地區規模最大全產業鏈的以氮化鎵芯片研發、生產為一體的高新技術企業，達產后，產品將遠銷北美、歐洲、中東及東南亞，年產值4億元左右，解決就業200余人。”李婷說。（
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