填補東北區域產業空白 氮化鎵半導體芯片項目建成
項目現場施工人員正在進行設備調試 本報記者虞偉攝
5月9日，盤錦高新技術產業開發區的氮化鎵半導體芯片項目現場，工程施工人員正在接通水電氣，遼寧百思特達半導體科技有限公司的工作人員對動力設備、存水系統、空氣壓縮機等進行最后調試。
據公司副董事長刑艷介紹，遼寧百思特達半導體科技有限公司是一家集研發、設計、生產、銷售、服務于一體的綜合性高科技企業，始終致力于開創中國半導體氮化鎵芯片領域的科技新格局。目前，氮化鎵半導體芯片項目的車間裝修、機電設備安裝等收尾工程已經完工，在高新區管委會的協助下，企業定制的工藝設備陸續運輸、安裝到位。預計5月下旬，進入工藝設備調試、企業生產線和人員進駐階段。項目需要經過2個月的中試后正式投產，助力企業在“發展賽道”上加速挺進。
氮化鎵半導體芯片項目總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米，項目包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產車間、1棟芯片封裝及應用產品生產制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發中心及綜合管理用房等建設內容，可為企業增加10條氮化鎵外延生產線，實現年產10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產能提升，并向社會提供更多的就業崗位。
在項目規劃和建設期間，市區兩級黨委政府、相關部門和高新區管委會密切關注，及時為企業解決審批等環節的需求，提供安全指導和監管服務，確保項目施工平穩進行，保障了項目的優質建設和順利完工。
氮化鎵半導體芯片項目的建成達產，不僅填補了東北區域的產業空白，對“中國制造2025”及第三代化合物半導體和微電子等相關技術的提升更具有戰略意義。正式投產后，遼寧百思特達半導體科技有限公司將成為東北地區規模最大的氮化鎵芯片完整產業鏈綜合高新技術產業企業。
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